"Αντιστροφή της μαγνητικής κατάστασης σε μαγνητικά σύρματα νανομετρικών διαστάσεων που προκαλείται μόνο από την πυκνότητα του ηλεκτρικού ρεύματος"

      Η γενική μέθοδος του καθορισμού των στοιχειωδών δυαδικών ψηφίων «0» και «1» στις στερεάς κατάστασης συσκευές μαγνητικών μνημών καθορίζεται από τις δύο αντίθετες κατευθύνσεις του διανύσματος της μαγνήτισης σε ένα στοιχείο μνήμης. Μέχρι τώρα η αντιστροφή της μαγνητικής κατάστασης σε πρακτικές εφαρμογές επιτυγχάνεται με την επίδραση ενός εξωτερικού μαγνητικού πεδίου. Την τελευταία δεκαετία οι μαγνητικές ιδιότητες σωματιδίων νανομετρικών διαστάσεων, καθώς και νέοι τρόποι αντιστροφής της μαγνήτισης εκτός από την εφαρμογή ενός εξωτερικού μαγνητικού πεδίου είναι θέματα εντατικής ερευνητικής δραστηριότητας.

     Σκοπός του προγράμματος είναι να συμβάλλει στην διερεύνηση μιας εναλλακτικής προσέγγισης στην εγγραφή και ανάγνωση δυαδικής πληροφορίας με μαγνητικά στοιχεία μνήμης. Συγκεκριμένα, διερευνούμε την δυνατότητα αντιστροφής της μαγνητικής κατάστασης ενός μαγνητικού στοιχείου μνήμης με την εφαρμογή ηλεκτρικού ρεύματος, δίχως την επίδραση εξωτερικού μαγνητικού πεδίου. Ο κύριος στόχος μας αφορά τη ποσοτική μελέτη των ενδογενών και εξωγενών παραμέτρων που επηρεάζουν την ταχύτητα μετατόπισης ενός μαγνητικού τοιχώματος, την κρίσιμη πυκνότητα ρεύματος jc που απαιτείται για την αποτελεσματική μετατόπιση του μαγνητικού τοιχώματος και την χρονική διάρκεια πλήρους αναστροφής της μαγνητικής κατάστασης (από 0 σε 1 και αντιστρόφως) σε ένα μαγνητικό σύρμα νανομετρικής διατομής (νανοσύρμα). Αυτή η προσέγγιση μπορεί να συμβάλει στην περαιτέρω σχεδίαση και κατασκευή Μαγνητικών - RAM που θα βασίζονται σε αυτό το φαινόμενο [όπως αυτό ορίζεται στις δημοσιεύσεις των D. A. Allwood et al, J. Appl. Phys. 95, 8264 (2004) και Science 296, 2003 (2002)].