"Επιφανειακή
κατεργασία πολυμερικών υλικών σε ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος:
Εφαρμογή στην μικροηλεκτρονική και στην νανοτεχνολογία"
Στα πλαίσια του
προγράμματος πραγματοποιήθηκαν:
1)
H
επιφανειακή κατεργασία και συγκεκριμένα η εγχάραξη πολυμερικών
υλικών σε ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος με σκοπό την κατασκευή
μικρο και νανοδομών,
2)
η κατανόηση των μηχανισμών κατεργασίας των πολυμερικών υλικών σε
ηλεκτρικές εκκενώσεις πλάσματος,
3)
η κατασκευή ενός πλήρους προσομοιωτού της διεργασίας επεξεργασίας του πολυμερούς και της δημιουργίας των δομών. Έμφαση δόθηκε σε πολυμερικά υλικά που περιέχουν και πυρίτιο (όπως οι σιλικόνες) ή άλλα στα οποία γίνεται πυριτίωση (π.χ. νεολάκες που πυριτιώνονται πριν την κατεργασία), ενώ μελετήθηκε κυρίως πλάσμα οξυγόνου και φθοριωμένων υδρογονανθράκων.
Στα
πλαίσια του προγράμματος πραγματοποιήθηκαν οι εξής δημοσιεύσεις σε
διεθνή περιοδικά με σύστημα κριτών:
[1]
Electron beam lithography simulation for high resolution and
high-density patterns.
I.Raptis, N.
Glezos, E. Valamontes, E. Zervas, P. Argitis.
Vacuum 62,
263-271, (2001).
[2]
Tailoring the surface topography and wetting properties of
oxygen-plasma treated poly- dimethyl siloxane.
A.
Tserepi, E. Gogolides, V. Constantoudis, K. Tsougeni, N.
Vourdas,E.
S. Valamontes
Journal of Applied Physics 98, 113502, (2005).
[3]
Surface roughness induced by plasma etching of Si-containing
polymers.
A.
Tserepi, E. Gogolides, V. Constantoudis, G. Cordoyiannis,
I.
Raptis and E. S. Valamontes
J.
Adhesion Scien. & Technol., 17(8),
1083-1091 (2003).
[4]
Characterization and simulation of surface and line-edge roughness
in photoresists.
V. Costantoudis,
E. Gogolides, G. Patsis, A. Tserepi,
E.
Valamontes.
J. Vac.
Scien. & Technol.
B, 19 (6), 2694, (2001).
[5]
Surface and line-edge roughness in solution and plasma developed
negative tone resists: Experiment and simulation.
G. Patsis, A.
Tserepi, I.Raptis, N. Glezos, E. Gogolides and
E. Valamontes.
J. Vac.
Scien. & Technol.
B 18 (6), 3292, (2000).
[6]
Surface and line-edge roughness in plasma developed resists.
A.Tserepi,
E. Valamontes,
E. Tegou, I.Raptis and E. Gogolides.
Microelectronic
Engineering, Vol. 57-58, 547-554, 2001.
[7]
Roughness characterization in positive and negative resists.
V.
Costantoudis, E. Gogolides, A. Tserepi, C. D.
Diacoumakos,
E. S. Valamontes.
Microelectronic
Engineering, Vol. 61-62, 793-801, (2002).
|